2023年10月10日发(作者：robbiewilliams)

A

1st level packaging

2nd level packaging

aberration /

absorption

象差色差

吸收

第一级圭寸装

第二级圭寸装

acceleration column

力口速管

acceptor Accumulate v.acid acoustic

受主 积聚堆积 酸

，

streaming active region activate activated

声学流 有源区 激活

dopant active component adsorption

激活杂质 有源器件 吸附

aerosol

悬浮颗粒

air ionizer alignment mark alignment

空气电离化器 对准标记

对准 合金

alloy

alternate adj.v

交替的轮流的预备的 交替轮 流改变

，，，，

aluminum aluminum subtractive process

乍吕 铝刻

蚀工艺

ambient ammonia(NH3) ammonium

环境 氨气

fluoride(NH4F) ammonium hydroxide(NH4OH)

氟化氨 氢氧化

氨 非晶的，无定型

amorphous

analog angstrom anion anisotropic etch

模拟信号 埃 阴离子

profile anneal antimony(sb)

各向异性刻蚀剖面 退火 锑

antirelective coating(ARC)

抗反射涂层

APCVD application specific IC(ASIC)

常压化学气向淀积

专用集成电路

aqueous solution area array U

水溶液 面阵歹

argon Arn.［］

() 化氩

arsenic(As)arsine(AsH3) ashing

砷 砷化氢，砷烷 灰化，去胶

aspect ratio aspect ratio dependent

深宽比，高宽比

etching(ARDE)

与刻蚀相关的

深宽比

asphyxiant ij assay number atmospheric adj.

窒息齐 检定数

大气的 大气压

atmospheric pressure atmospheric pressure

CVD(APCVD)

常压化学气向淀

积

atomic force microscopy(AFM) atomic number

原子力显微镜

原子序数

attempt n.vtauger electron

努力尝试企图 尝试企图

，，，

・

spectroscopy(AES) autodoping

俄歇电子能谱仪 自掺杂

automatic defect classification(ADC) B

缺陷自动分类

back-end of line(BEOL)

(生产线)后端工序

backgrind

减薄

backing film

背膜

baffle vt

・

困惑阻碍为难（挡片）

，，

baffle assembly n.

球栅阵列

集合装配集会

，，，

舞厅式布局，超净间的布局 圆

集结汇 编

，

桶型反应室 阻挡层金属

（挡片块）

势垒电压

ball grid

array(BGA) ballroom layout barrel reactor barrier metal

丨

barrier voltage basebatch bay and chase

基极，基区 批

layout beam blow-up

生产区和技术夹层区 离子束膨胀

beam energy

beol

离子束能量

beam current beam deceleration

束流 束流减速

(生产线)后端工序

best focus

最佳聚焦

BGA

球栅阵列

Biasing

电压拉偏

BICMOS CMOS

双极

bincode number

分类代码号

bin map bipolar junction transistor(BJT)

分类图 双极

晶体管

bipolar technology bird s beak effect

双极技术(工艺) ' 鸟嘴

效应 均厚淀积

blanket deposition

blowerboat

增压泵 舟

BOE Bon voyage ［］

氧化层刻蚀缓冲剂 法 再见一路

，

顺风平安

［］

bonding pads bonding wire boron(B)

压点 焊线，引线 硼

boron trichloride(BCL3) boron trifluoride (B F3)

三氯化硼

三氟化硼

borophosphosilicate glass(BPSG)borosilicate

硼磷硅玻璃

glass(BSG) bottom antireflective coating(BARC)

硼硅玻璃

下减反射涂层

boule

单晶锭

bracket n.v.

墙上凸出的托架括弧支架 括在 一起

，，

breakthrough step

突破步骤，起始的干法刻蚀步骤

brightfield detection brush scrubbing bubbler

亮场检查 涮洗

带鼓泡槽

buffered oxide etch(BOE)

氧化层腐蚀缓冲液

bulk chemical distribution

批量化学材料配送

bulk gases

bumped chip

大批气体

穿壁式设备布局

凸点式芯片

bulkhead equipment layout

buried layer burn-box burn-in C

埋层 燃烧室(或盒) 老化

CA cantilever n. ］cantilever paddle

化学放大(胶) 悬臂 悬

建

臂桨 掩蔽氧化层

cap oxide

capacitance capacitance-voltage test(C-Vtest) -

电容 电容

电压测试

capacitive coupled plasma

capacitor

电容器

电容偶合等离子体

carbon tetrafluoride(CF4) caro s acid3

四氟化碳 ' 号液

carrier carrier-depletion region carrier

载流子 载流子耗尽层

gas

携带气体

cassette cation caustic

(承)片架 阳离子 腐蚀性的

cavitation

超声波能

CD

关键尺寸

CD- SEM

线宽扫描电镜

Celsius adj.center of focus(COF) center

摄氏的 焦点 焦平面

slow

中心慢速

central processing unit(CPU)

中央处理器

ceramic substrate

CERDIP

陶瓷圭寸装

陶瓷双列直插封装

Channel channel length channeling

沟道 沟道长度 沟道效应

charge carrier

载流子

chasechelating agent ij

技术夹层 螯合齐

chemical amplification(CA)

化学放大胶

chemical etch mechanism chemical

化学刻蚀机理

mechanical planarization(CMP) chemical

化学机械平 坦化

solution chemical vapor deposition(CVD)

化学溶液 化学

气相淀积

chip

芯片

chip on board(COB)chip scale package(CSP)

板上芯片 芯片

尺寸圭寸装 电路几何尺寸

circuit geometries

class number

净化级另卩

cleanroom cleanroom protocol

净化间 净化间操作规程

Clearfield mask

亮场掩膜板

Cluster tool CMOS CMP

多腔集成设备 互补金属氧化物半导体

化学机械平坦化

Coater/developer track /

涂胶 显影轨道

Cobalt silicide

钻硅化合物

coefficient n. ［］

数 系数

Coefficient of thermal expansion（CTE）

热涨系数

Coherence probe microscope Coherent light

相干探测显微镜

相干光 盘绕卷

coil v.

，

Cold wall Collector Collimated light

冷壁 集电极 平行光

Collimated sputtering

准直溅射

Compensate v.Compound

偿还补偿付报酬

，，

semiconductor Concentration

化合物半导体 浓度

Condensation Conductor constantly adv

浓缩 导体 不变

・

地经常地坚持不懈地 共聚焦显微镜

，，

Confocal microscope

Conformal step coverage Contact

共型台阶覆盖 接触（孔）

Contact alignment Contact angle meter

接触式对准（光刻） 接

触角度仪 沾污、污染

Contamination

conti boat conticaster ［］

连柱舟 冶连铸机

Continuous spray develop Contour maps

连续喷雾显影 包络

图、等位图、等值图 对比度、反差 捐

Contrast contribution n.

献贡献投稿 常规 线光刻

，，

Conventional-line photoresist I

胶 库克理论 铜

Cook' s theoryCopper CVD CVD Copper

interconnect Cost of ownership(COO)

铜互连 业主总成本

Covalent bond Critical dimension

共价键 关键尺寸

Cryogenic aerosol cleaning

冷凝浮质清洗

Cryogenic pump(cryopump) Crystal

冷凝泵 晶体

Crystal activation Crystal defect Crystal

晶体激活 晶体缺陷

growth

晶体生长

Crystal lattice Crystal orientation

晶格 晶向

CTE

热涨系数

电流驱动电流放大

Current-driven current amplifier

器

CVD

化学气相淀积

Cycle time

周期

CZ crystal puller CZ

拉单晶设备

Czochralski(CZ) method

切克劳斯基法

D

damascene

大马士革工艺

darkfiled detection darkfiled mask

暗场检测 暗场掩膜版

DC bias

直流偏压

decompose v. ,()deep UV(DUV)

分解使腐烂 深紫外光

default n.)(),［］ v.

默认值缺省值食言不履行责任律缺席

(，，，

疏怠职责缺席拖欠默认

，，，

defects density defect deglaze

缺陷密度 缺陷 漂氧化层

degree of planarity(DP) dehydration bake

平整度 去湿

烘培，脱水烘培

density deplention mode degree of focus

密度 耗尽型 焦深

deposit n.vt

堆积物沉淀物存款押金保证金存 放物

，，，，，

・

存放堆积 沉淀

,vi.

deposition deposited oxide layer

淀积 淀积氧化层

depth of focus descum design for test(DFT)

焦深 扫底膜

可测试设计

desorption

解吸附作用

develop inspect

显影检查

development developer deviation n.device

显影 显影液 背离

isolation

器件隔离

device technology DI water

器件工艺 去离子水

Diameter n.diameter grinding diborane B2H6

直径 磨边 ( )

乙硼烷

dichlorosilane(H2SiCL2) die die array

二氯甲硅烷 芯片 芯片阵

列 粘片 逐个芯片对准

die attach die-by-die alignment

dielectric dielectric constant die matrix

介质 介电常数 芯片

阵列

die separation diffraction diffraction-limited

分片 衍射

optics

限制衍射镜片

diffusion diffusion controlled digital/analog

扩散 受控扩散

/

数字 模拟

digital circuit diluent direct chip attach( DCA) directionality

discrete dishing dislocation dissolution rate

dissolution rate monitor(DRM) DNQ-novolak

溶解率监测 重

氮柰醌一酚醛树脂 施主 掺杂刨面)

Donor dopant profile doped

region doping dose monitor

掺杂区 掺杂 剂量检测仪

推进 干法刻蚀

dry etch

dose,Q downstream reactor drain drive-in

剂量 顺流法反应 漏

dry mechanical pump

dry oxidation

干式机械泵

干法氧化

dummy n.adj.

哑巴傀儡假人假货 假的虚构

，，，，

虚拟的

，

的 计哑元 动力的动力学的

n.［］dynamic adj.

，，

动态的 规模经济 边

E economies of scale edge bead removal

缘去胶 边缘芯片

edge die

edge exclusion electrically erasable PROM

无效边缘区域 电

可擦除 电极 电迁徙

EPROM electrode electromigration

electron beam lithography

电子束光刻

electron cyclotron resonance electron

电子共振回旋加速器

showerelectron stopping

电子簇射，电子喷淋 电子阻止

electronic wafer map electroplating

硅片上电性能分布图 电镀

electropolishing

电解拋光

electrostatic chuck electrostatic discharge(ESD)

静电吸盘

静电放电 椭圆偏振仪，椭偏仪

ellipsometry

emitter endpoint detection engineering n.

发射极 终点检测

工程学能量弥散谱仪

() electrostatic discharge(EDX)

enhancement mode epi

增强型 夕卜延

epitaxial layer

夕卜延层

epoxy underfill erasable PROM

环氧树脂填充不足 可擦

除可编程只读存储器

erosion

腐蚀，浸蚀

establish vt v.

・

建立设立安置使定居使人民接受确定

，，，，，

建立

etch

刻蚀

etch bias

刻蚀涨缩量

etch profile

刻蚀刨面

etch rate

刻蚀速率

etch residue

刻蚀残渣

etch uniformity

刻蚀均匀性

etchant

刻蚀剂

etchback planarization eutectic attach

返刻平坦化 共晶焊接

eutectic temperature evaporation

共晶温度 蒸发

even adj.

平的平滑的偶数的一致的平静的恰好的，

，，，，，

平均的，连贯的 ［加强语气］甚至（也）, 连…都即

adv.

・・・

，

使恰好正当 使平坦使相等 变平相等 偶数偶

，，，，，

vt.vi. n.

校验

exceed vt. vi.

超越胜过 超过其他

，

excimer laser exposal n. ,exposure

准分之激光 曝光显露 曝光

exposure dose extraction electrode extreme UV

曝光量 吸极

极紫外线 掺杂硅 无制造厂公司

extrinsic silicon F Fables

fabrication facilities factor n.

制造 设施 因素要素因数

，，，

代理人 快速升降温炉 失效模式

fast ramp furnaces fault model

FCC diamond

面心立方金刚石

feature size

特征尺寸

FEOL Fick s lawsFICK field-effect transistor

前工序 ' 定律 场

效应晶体管 场氧化 逐场对

field oxide field-by-field alignment

准

field-programmable PROM

现场可编程只读存储器

film film stress

膜 膜应力

final assembly and packaging final test

最终装配和圭寸装 终

测

first interlayer dielectric(ILD-1)fixed oxide

第一层层间介质

charge flats flip chip float

固定氧化物电荷 定位边 倒装芯片

zone fluorosilicate glass(FSG) focal length

区熔法 氟化玻璃

焦距 焦平面 焦点 聚焦

focal plane focal point focusfocus ion

beam(FIB) footprint

聚焦离子束 占地面积

formula n.forward bias

公式规则客套语 正偏压

，，

four-point probe frenkel defect Frenkel

四探针 缺陷

front-opening unified pod(FOUP)

前开口盒

functional test furnace flat zone G g-line G

功能测试 恒温区

线 镓 砷化镓 间隙

gallium(Ga)gallium arsenide(GaAs)gap fill

填充 气体 气柜 气瓶集装

gas gas cabinet gas manifold gas

phase nucleation gas purge gas

气相成核 气体冲洗

throughput

气体产量

gate gate oxide gate oxide integrity

栅 栅氧化硅 栅氧完整性

germanium(Ge) getter glassglazing

错 俘获 玻璃 光滑表面

global alignment global planarization

全局对准 全局

平坦化

glow discharge gray area gross

起辉放电 灰区，技术夹层

defect grove n. grown oxide layer

层错 小树林 热氧化生长氧

化层

H

Halogen hardbake hardware n.

卤素 坚膜 五金器具电脑的

，()

硬件电子仪器的部件

，()

HEPA filter

高效过滤器

hermetic sealing

密圭寸

heteroepitaxy heterogeneous reaction

异质外延 异质反应

hexamethyldisilazane(HMDS)high-density

六甲基二硅氨烷

plasma(HDPCVD)

高密度等离子体化学

气相淀积

high-density plasma etch high-pressure

高密度等离子刻蚀

oxidation

高压氧化

high-temperature diffusion furnace

高温扩散炉

high vacuum high vacuum pumps hillock

高真空 高真空泵 小

丘(铝)尖刺 同质外延 同

homoepitaxy homogeneous reaction

质反应 地平线的水平的 臣

horizontal adj.horizontal furnace

，

卜式炉 热电子 热壁

hot electron hot wall hydrochloric

acid(HCL)hydrofluoric acid(HF)hydrogen(H2)

盐酸 氢氟酸 氢

气 氯化氢

hydrogen chloride(HCL)hydrogen peroxide(H2O2)

双氧水 亲水性 憎水性，疏水性

hydeophilic hydrophobic

hyperfiltration

超过滤

I

i-line I

线

IC packaging

集成电路封装

IC reliabilityIddq testing

集成电路可靠性 静态漏电流测试

image resolution

图象清晰度 图象分解力

implant v.impurity increment n.,

灌输（注入） 杂质 增力口增量

initial adj.n.in situ

最初的词首的初始的 词首大写 字母

，，

measurements index of refraction indium

在线测量 折射率 铟

inductively coupled plasma（ICP）inert gas

电感耦合等离子体

惰性气体 红外干涉 锭 墨

infrared interference ingot ink mark

水标识 在线参数测试

in-line parametric test

input/output（I/O）pin / institute n.

输入 输出管脚 学会学

，

院协会 创立开始制 定开始调查提起诉讼

，，，，（（）

vt.）, insulator

绝缘体

integrate vt.v.integrated

使成整体使一体化求…的积分结合

，，

circuit(IC)integrated measurement tool

集成电路 集成电路测

量仪 间隔距离幕间休息 时间间隔

interval n.n.

，，

interconnect interconnect delay

互连 互连连线延迟

interface-trapped charge interferometer

界面陷阱电荷 干涉仪

interlayer dielectric(ILD) interstitial

层间介质 间隙(原子)

intrinsic silicon invoke v.ion ion analyzer

本征硅 调用 离子

离子分析仪 离子铣

ion beam milling or ion beam etching(IBE)

或离 子束刻蚀 离子注入

ion implantation ion implantation

damage ion implantation doping

离子注入损伤 离子注入掺杂

ion implanterion projection lithography(IPL)

离子注入机 离子

投影机

ionization ionized metal plasma PVD

离子化 离子

PVD

化金属等离子 异丙醇气相干燥

IPA vapor dry

isolation regions

隔离区

isotropic etch profile

各向同性刻蚀刨面

J

JEFTjunction(pn) PN junction depth

结型场效应管 结 结深

junction spiking K

结尖刺

Kelvinkiller defectkinetically controlled

绝对温度 致命缺陷

reaction L laminar air flow

功能控制效应 层状空气流，层流式

lapping latchuplateral diffusion law

拋光 闩锁效应 横向扩散

of reflection

反射定律

LDD

轻掺杂漏

Leadframe

引线框架

leakage cuttent lenlens compaction

漏电流 透镜 透镜收缩

light light intensity light scattering lightly

光 光强 光散射

doped drain(LDD) linear linear accelerator

轻掺杂漏 线性 线

性加速器 线宽阶段，线性区 线宽 液

linear stage linewidth liquid

体 光刻 沾污的毛刷

lithography loaded brushloaded effect

负载效应 真空锁 局部互连

loadlocklocal interconnect(LI)local

planarization local oxidation of silicon(LOCOS)

局部平坦化

硅局部氧化隔离法 逻辑 批

logiclot

low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)

低压 化学

气相淀积

LSI

大规模集成电路

M

magnetic CZMCZ magnetically

( )磁性切克劳斯基晶体生长法

enhanced RIE(MERIE)

磁增强反应离子 刻蚀

magnetron sputtering Magnification n.

磁控溅射 扩大放大

，

倍率 华丽的高尚的宏伟的

magnificent adj. majority carrier

，，

多子 补偿循环

make-up loop

maskn.vt.,

掩膜版 面具掩饰石膏面像 戴面具

，，

掩饰使模糊 化装戴面具掩饰参加化装舞会

，，，，

vi.

mask-programmable gate array U

掩膜可编程门阵歹

mass flow controller(MFC)

质量流量计

mass spectrometer mass-transport limited reaction

质谱仪

质量传输限制效应 数学的精确的

mathematical adj.mean

，

free path(MFP) medium vacuum

平均自由程 中真空

adj.

megasonic cleaning meltmembrane

超声清洗 熔融

contactormembrane filter

薄膜接触器，隔膜接触器 薄膜过滤器，

隔膜过滤器 商人批发商贸易商店主 商业的

merchant n.

，，，，

商人的 汞灯

mercury arc lamp

MESFETmetal contact

用在砷化镓结型场效应晶体管中的金属栅

金属接触孔 金属杂质 复合金属，

metal impurities metal stack

金属堆叠

metallization metalorganic CVD

金属化 金属有机化学气相淀积

metrology microchipmicrodefect

度量衡学 微芯片 微缺陷

microlithography

微光刻

microloadingmicron

微负载，与刻蚀相关的深宽比 微米

microprocessor n.［］microprocessor unit

计微处理器 微处

理器

microroughness Miller indices

微粗糙度 密勒指数

minienvironment minimum geometry

微环境 最小尺寸

minority carrier mix and match mobile ionic

少子 混合与匹配

contaminants(MIC)mobile oxide charge

可动离子沾污 可动氧

化层电荷 模数模块登月舱指令舱 更

module n.,modify vt

，，

・

改修改 修改 分子束外延

，

v.molecular beam epitaxy (MBE)

molecular flow monitor wafer(test wafer)

分子流 陪片，测试

片，样片 单晶 单片器件

monocrystal monolithic device

Moore's law MOS

摩尔定律 金属氧化物半导体

MOSFET

金属氧化物半导体场效应管

motor curreant endpoint MSI

电机电流终点检测(法) 中规模集

成电路

Multiplier n.,

增加者繁殖者乘数增效器乘法器

，，，

multichip module(MCM)

多芯片模式

multilenel metallization

多重金属化

Murphy's model

墨菲模型

N nanometer(nm)native oxide n-channel

纳米 自然氧化层

MOSFET n MOSFET negatine resist

沟道 负性光刻胶

negative n.adj.

否定负数底片 否定的消极的负的阴

，，，，，

性的 否定拒绝接受负性

vt. negatine resist development

，()

光刻胶显影 中性束陷阱

neutral beam trap next-generation

lithography nitric acid(HNO3)

下一代光刻技术 硝酸

nitrogen(N2)nitrogen trifluoride(NF3)

氮气 三氟化氮

nitrous oxide (N2O) nMOS nMOS

一氧化二氮、笑气 沟道场效

应晶体管 非关键层 非挥

noncritical layer nonvolatile memory

发性存储器 归一化

normality

notch novolaknpn npn

定位槽 苯酚甲醛聚树脂材料 型(三极管)

n-type silicon n nuclear stopping nucleation

型硅 离子终止

成核现象，晶核形成 核合并

nuclei coalescence numerical

aperture(NA) L

n-well n

阱

O

数值孑 径

objective

(显微镜的)物镜

off-axis illumination(OAI)

偏轴式曝光，离轴式曝光

ohmic contact op amp optical

欧姆接触 运算放大器

interferometry endpoint

光学干涉法终点检测

optical lithography optical microscope(light

光学光刻

microscope) optical proximity correction(OPC)

光学显微镜

光学临近修正

optical pyrometer optics organic compound

光学高温计 光学

有机化合物

out-diffusion outgassing overdrive

反扩散 除气作用 过压力

overetch step overflow rinser overlay

过刻蚀 溢流清洗

accuracy overlay budget overlay

套准精度 套准偏差

registration oxidation oxidation-induced

套刻对准 氧化

stacking faults(OISF) oxide

缺陷，氧化诱生堆垛层错 氧化物、

氧化层、氧化膜 氧化齐氧化

oxidezer ij oxide-trapped charge

层陷阱电荷 臭氧

ozone(O3)

P

package pad conditioning pad oxide

封装管壳 垫修整 垫氧化

膜 悬臂 短桨划桨明轮翼 水

paddle n.

，，，

氧化诱生层积

涉水 用桨划搅拌

vt

・

，，

parabolic stage

拋物线阶段

parallel-plate(planar)reactor

平板反应

parallel testing parameter

并行测试 参数

parametric test parasitic

参数测试 寄生

parasitic capacitance parasitic

寄生电容

resistance parasitic transistor

寄生电阻 寄

生电阻器 分压

partial pressure particle

density particle per wafer per

颗粒密度

vi.

划桨戏

，

pass(PWP)

每步每片上的颗粒 数

passivation passivation layer

钝化 钝化层

passive components pattern sensitivity

无源元件 图形灵敏性

patterned etching pattern wafer

图形刻蚀 带图形硅片

patterning

图形转移，图形成型，刻印

pc board

印刷电路版

p-channel MOSFET p MOSFET

PECVD

沟道

PCM PEB

工艺控制监测 曝光后烘焙

等离子体增强化学气相淀积

PEL

允许曝露极限值

pellicle pentavalent perform vt

贴膜 五价元素

・

完成任务

履行执行表演演出 表演的履行的

,v. performing adj.

，，，

perimete array pH scale pH

周边阵列式(圭寸装) 值

phase-shift mask(PSM) phosphine(PH3)

相移掩膜技术 磷化氢

phosphoric acid(H3PO4)phosphorus(P)phosphorus

磷酸 磷

oxychloride(POCL3)phosphosilicate glass(PSG)

三氯氧磷 磷

硅玻璃 光酸产生剂

photoacid generator(PAG)photoacoustics

光声的 感光化合物

photoactive compound(PAC)photography

n.

摄影摄影术 光刻

，

photolithography photomask photoresist

光刻(技术) 光掩膜

光刻胶 去胶、光刻胶去除

photoresist stripping physical etch

mechanism physical vapor deposition(PVD)

物理刻蚀机理 物

理气相淀积 引出头 针栅阵列式(封

pigtailpin grid array(PGA)

装)

pinhole L piranha 3 pitch planar planar

针孑 号液 间距 平面

capacitor planar process planarization

平面电容 平面工艺 平

坦化 等离子体 解血浆乳浆物等离子体

plasman.［］［］

，，，

等 离子区 等离子体干法清洗

plasma-based dry cleaning

plasma electron flood plasma enhanced

等离子电子流

CVD(PECVD) CVD

等离子体增强

plasma etch

等离子体刻蚀

plasma-induced damage plasma potential

等离子体诱导损伤

distribution

等离子体势分布

plastic dual in-line package(DIP)

双列直插塑料圭寸装

plastic leaded chip carrier(PLCC)

塑料电极芯片载体

plastic packaging

塑料圭寸装

plugvt.n,

塞，填充堵塞插上插栓 塞子插头插销

，，，，

pMOS(p-channel) p MOS

沟道

pn junction diode pn pnp pnppoint

结型二极管 型三极管

defect Poisson's model polarization

点缺陷 泊松模型 极化，

偏振 极化光，偏振光 拋光 拋

polarized light polishpolish rate

光速率 倒角

polished wafer edge(edge grind) polishing loop

磨拋循环 拋光衬垫 多晶硅化物

polishing pad )polycide

(

polycrystal

多晶

polymer n. polymer formation

聚合体 聚合物方程式

polymerization polysilicon polysilicon gate

聚合作用 多晶硅

多晶硅栅 一部分一分 正性光刻

portion n. ,positive lithography

positive resist positive resist development

正性光刻胶 正性

光刻胶显影 显影后检查

post-develop inspection

post-exposure bake(PEB) ppb ppm

曝光后烘焙 十亿分之几 百

万分之几 万亿分之几 预非晶化

ppt preamorphization

precursor predeposition premetal

先驱物 预淀积

dielectric(PMD) preston equation Preston

金属前介质 方程

primary orientation flat

主定位边

print bias

光刻涨缩量

printed circuit boade(PCB) probeprobe card

印刷电路板 探针

探针卡 探针台 工艺 工艺腔，

proberprocess process chamber

工艺反应室 工艺化学

process chemical process control

monitor(PCM)process latitude

工艺控制监测(图形) 工艺水平，

工艺能力 工艺菜单

process recipe programmable array

logic(PLA)

可编程阵列逻辑

programmable logic device programmable

可编程逻辑器件

read-only memory projected range

可编程只读存储器 投影射

程 提示付款期限 提示鼓动促使

prompt n.vt,

，，，

・

(adj.adv.

给演员提白 敏捷的迅速的即时的

)，，

准时地 命令：改变系统提示符的风格

n. DOSDOSproportion n.

比例均衡面积部分 使成比 例使均衡分摊

，，，，，

vt.proportional

adj.

比例的成比例的相称的均衡 的

，，，

proportional band proximity

比例区比例带比例尺范围

，，

aligner p-type silicon P puddle develop

接近式光刻机 型硅 搅

拌式显影 抽气速率 穿通

pump speed punchthrough purge

（冲气）清洗

purge cycle

（冲气抽气）清洗循环

PVD

物理气相淀积

p-well P pyrogenic steam pyrogen pyrolytic

阱 热流 热原（质）

热解 自燃的

pyrophoric Q

quad flatpack（QFP）quadrupole mass analyzer

方型管壳封装

（QMA） quality measure quarz

四极质量分析仪 质量测量 石

英 石英管 石英舟

quarz tube quarz wafer boat

queue timeR radiation damage radical

排队时间 辐射损伤 激

发 随机存储器 射程

random access memory(RAM) range

rapid thremal anneal(RTA)

快速热退火

rapid thermal processor(RTP)RCA clean RCA

快速热处理 清

洗 反应速率限制

reaction rate limited reactive ion etch(RIE)

反应离子刻蚀 反应性 反应室，反应腔

reactivity reactor

read-only memory(ROM)recombination

只读存储器 复合

redistribution reflection spectroscopy

再分布 反射光谱仪

reflective notching reflowrefraction

反射开槽 回流 折身寸

refractory metal regeneration regeneration

难融金属 再生 套

准精度 移动免职

relative index of refraction,n removal n. ,

，

切除 重复反复 重做复述向他人转述复

repeat n.vt

，，，，

・

制使再现 重复留有味道 表示法表现

，，

vi.representation n. ,,

陈述请求扮演画像继承代表 重新安排

, reset v.

，，，，

residual gas analyzer(RGA)resist

残余气体分析器 光刻胶

resist development resistance

光刻胶显影 电阻

resistivity resolution reticleretrograde

电阻率 分辨率 掩膜版

well reverse bias reverse osmosis(RO)

倒掺杂阱 反偏 反向渗

透

RF

射频

RF sputtering

射频溅射

rinse vn.

嗽口用清水刷冲洗掉漂净 清洗 嗽洗漂洗

，()，，，，

漂清冲洗

，

RO

反向渗透

Roots blowerroughing pump

罗茨(机械增压)泵 低真空泵，机

械泵

RTARTP

快速热退火 快速热处理

S

satisfy vt.v.

满足使满意说服使相信 满意确保

，，，，

Scaling

按比例缩小

SCALPEL

具有角度限制分散投影电子束光刻

Scanner

扫描仪

scanning electron microscope(SEM)

扫描电子显微镜

scanning projection aligner schottky diode

扫描投影光刻机

肖特基二极管 掩蔽氧化层 戈

screen oxide layer scribe line H

片道 戈片线监测 底膜

scribe line monitor(SLM)Jscumming

secondary electron

二次电子

secondary electron flood

二次电子流

secondary ion mass spectrometry(SIMS)

二次离子质谱 (法)

seeds model SEE selective etching

' 模型 选择性刻蚀

selective oxidation selectivity

选择性氧化 选择性

semiconductor grade silicon semiconductor

半导体极硅 半

导体 灵敏度 浅沟槽隔

sensitivity shallow trench isolation(STI)

离 方块电阻 方块电阻率

sheet resistance,RS sheet resistivity,

shot sizeshrinking SI units Sidewall

胶(点)尺寸 缩小 公制

spacer Silane(siH4)Silicidesilicon

侧墙 硅烷 硅化合物 硅

silicon dioxide(SIO2)

二氧化硅

silicon nitride(SI3N4)silicon on sapphire

氮化硅 蓝宝石伤硅

silicon on insulator(SOI)silicon

绝缘体上硅

tetrachloride(SIC4) silicon tetrafluoride(SIF4)

碳化硅 四氟化

硅 四氯化硅

silicon tetrachloride(SICL4)single crystal silicon

单晶硅 硅烷化(作用)

silylation

SIMOX SOIsingle crystal

由注入氧隔离，一种 材料 单晶

slipslurry

滑移 磨料

SMIF

标准机械接口

Sodium hydroxide(NaOH)soft bake solid

氢氧化钠 前烘 固体

solvent ij

溶齐

SOS

蓝宝石上硅

Source source drain implants spacer n.

源 源漏注入 取间隔的

装置逆电流器

，

spatial coherence spatial signature analysis

空间相干 空间信

号分析 特种气体 种类

specialty gase species specific gravity

比重 比热 斑点

specific heat speckle spectroscipic

ellipsometry spin coatingspin dryer

椭圆偏振仪 光刻胶旋涂

旋转式甩干桶 （ ）旋转介质法

spin-on-dielectricSOD

spin-on-glassSOGspray cleaning

（ ）旋转玻璃法 喷雾清洗

spray rinserspreading resistance probe

喷雾清洗槽 扩散电阻

探测 喷溅声劈啪声急语咕哝 唾沫飞 溅

sputter nvi.

・

，，，，

发劈啪声急忙地讲 喷出飞溅出气急败坏

，，，

vt.

地说 溅射 溅射刻蚀

sputtering sputter etchsputtered

aluminum

溅射铝

sputtering yield

溅射产额

SSI

小规模集成电路

stacking faultstandard clean 1(SC-1) 1

层积缺陷，堆垛层错 号

清洗液 号清洗液

standard clean 2(SC-2) 2 standard

mechanical interface(SMIF)standing wave

机械标准接口 驻波

static RAMstatistical process control ( SPC

静态存储器 )统计

过程控制 台阶覆盖 台阶高度

step coveragestep height

step-and-repeat aligner step-and-scan

分步重复光刻机

systemstepper

步进扫描光刻机 步进光刻机

stepping motor driverstepper

步进电机驱动器电路 步进光刻机

stoichiometrystagglestress

化学计量(配比) 投射标准偏差 应

力 条纹 剥剥去 条带

striation strip vtn.

・

，，

stripping structure subatmospheric CVD

去胶 结构 亚大气压

化学气相淀积 亚微米

submicron

sub-quarter micron 025substrate sublimation

亚微米 衬底

・

升华 替位原子 减去减

substitutional atom subtract v (from),

〜

subwaverlength lithography sulfur

亚波长光刻

hexafluoride(SF6)sulfuric acid H2SO4

六氟化硫 ()硫酸

surface profiler surface tension susceptor

表面形貌 表面张力

基座

T

target chamber target temperature ramp rate

靶室 靶 温度斜

率 温度

temperature

TEOS

正硅酸乙脂

test algorithm test coverage test structure

测试算法 测试覆盖

测试结构 测试向量 热预算

test vectorthermal budget thermal

oxide thermocompression bonding

热氧化 热压键合

thermocouple thermogravimetric analysis (TGA)

热电偶 热

重量分析 热超声键合 薄膜

thermosonic bonding thin film

thin small outline package(TSOP)-V

薄小型圭寸装 川

compound /thorough adj.

三五族化合物 十分的彻底的

，

Threshold threshold voitage threshold

域值 域值电压

voltage adjustment implant

调栅注入，域值调 整注入

throughput

产量

tilt [tilt] v.()()time of flight

使倾斜使翘起以言词或文字抨击

，，

SIMS(TOF -SIMS)

飞行时间二次离子质谱

titanium silicide

钛硅化合物

TLV

极限域值

top surface imaging topography torr

上表面图形 形貌 托

toxictrack system(also track) transient

有毒 轨道系统

enhanced diffusion(TED)transistor

瞬时增强扩散 晶体管

trench trench capacitor trichlorosilane(TCS or

槽 槽电容

SiHCL3)triode planar reactor

三氯氢硅 三真空管平面反应室

triple well trivalent tungsten(W)tungsten stch

三阱 三价 钨

back tungsten hexafluoride(WF6)tungsten

钨反刻 六氟化钨

plugturbomolecular pump(turbo pump)

钨塞，钨填充 涡轮分

子泵 双平面

twin planes(twinning)

twin-well(twin-tub)

双阱

U

ULSI

甚大规模集成电路

ultralow penetration air(ULPA)ultrafiltration

超低穿透空气 超

过滤 超细颗粒 超高纯度

ultrafine particle ultrahigh purity

ultrahigh vacuum ultrashallow junction

超高真空 超浅结

ultrashallow junction ultraviolet

超声键合(压焊) 紫外线

undercut uniformity unit cell

钻蚀 均匀性 元包，晶胞

unpatterned etching(spripping)

无图形刻蚀(剥离)

unpatterned wafer unplug v.),

无图形硅片 拔去塞子插头等

(，

去掉…的障碍物 紫外线

UV

V

Vacancy vacuum vacuum wand

空位 真空 真空吸片棒，真空

镊子

van der pauw method vapor phase epotaxy(VPE)

范德堡法

气相外延 气压

vapor pressure

vapor prime

气相熏增粘剂，气相成底膜

vaporization

气化

variable n.［］adj.

数变数可变物变量 可变的不定的

，，，，

易变的数变量的

，

［］

variable angle spectriscipic ellipsometry(VASE)

可变角 度椭

偏仪

variation n.［］various

变更变化变异变种音变奏变调

，，，，，

adj.vertical furnace

不同的各种各样的多方面的多样的 立

，，，

式炉

viaL

通孑

viscous flow

粘滞流

VLSI

超大规模集成电路

volatile memory

挥发性存储器

volatile

挥发

voltage regulator

温压器

W

wafer cassette wafer charging

硅片架 硅片充电

2023年10月10日发(作者：robbiewilliams)

A

1st level packaging

2nd level packaging

aberration /

absorption

象差色差

吸收

第一级圭寸装

第二级圭寸装

acceleration column

力口速管

acceptor Accumulate v.acid acoustic

受主 积聚堆积 酸

，

streaming active region activate activated

声学流 有源区 激活

dopant active component adsorption

激活杂质 有源器件 吸附

aerosol

悬浮颗粒

air ionizer alignment mark alignment

空气电离化器 对准标记

对准 合金

alloy

alternate adj.v

交替的轮流的预备的 交替轮 流改变

，，，，

aluminum aluminum subtractive process

乍吕 铝刻

蚀工艺

ambient ammonia(NH3) ammonium

环境 氨气

fluoride(NH4F) ammonium hydroxide(NH4OH)

氟化氨 氢氧化

氨 非晶的，无定型

amorphous

analog angstrom anion anisotropic etch

模拟信号 埃 阴离子

profile anneal antimony(sb)

各向异性刻蚀剖面 退火 锑

antirelective coating(ARC)

抗反射涂层

APCVD application specific IC(ASIC)

常压化学气向淀积

专用集成电路

aqueous solution area array U

水溶液 面阵歹

argon Arn.［］

() 化氩

arsenic(As)arsine(AsH3) ashing

砷 砷化氢，砷烷 灰化，去胶

aspect ratio aspect ratio dependent

深宽比，高宽比

etching(ARDE)

与刻蚀相关的

深宽比

asphyxiant ij assay number atmospheric adj.

窒息齐 检定数

大气的 大气压

atmospheric pressure atmospheric pressure

CVD(APCVD)

常压化学气向淀

积

atomic force microscopy(AFM) atomic number

原子力显微镜

原子序数

attempt n.vtauger electron

努力尝试企图 尝试企图

，，，

・

spectroscopy(AES) autodoping

俄歇电子能谱仪 自掺杂

automatic defect classification(ADC) B

缺陷自动分类

back-end of line(BEOL)

(生产线)后端工序

backgrind

减薄

backing film

背膜

baffle vt

・

困惑阻碍为难（挡片）

，，

baffle assembly n.

球栅阵列

集合装配集会

，，，

舞厅式布局，超净间的布局 圆

集结汇 编

，

桶型反应室 阻挡层金属

（挡片块）

势垒电压

ball grid

array(BGA) ballroom layout barrel reactor barrier metal

丨

barrier voltage basebatch bay and chase

基极，基区 批

layout beam blow-up

生产区和技术夹层区 离子束膨胀

beam energy

beol

离子束能量

beam current beam deceleration

束流 束流减速

(生产线)后端工序

best focus

最佳聚焦

BGA

球栅阵列

Biasing

电压拉偏

BICMOS CMOS

双极

bincode number

分类代码号

bin map bipolar junction transistor(BJT)

分类图 双极

晶体管

bipolar technology bird s beak effect

双极技术(工艺) ' 鸟嘴

效应 均厚淀积

blanket deposition

blowerboat

增压泵 舟

BOE Bon voyage ［］

氧化层刻蚀缓冲剂 法 再见一路

，

顺风平安

［］

bonding pads bonding wire boron(B)

压点 焊线，引线 硼

boron trichloride(BCL3) boron trifluoride (B F3)

三氯化硼

三氟化硼

borophosphosilicate glass(BPSG)borosilicate

硼磷硅玻璃

glass(BSG) bottom antireflective coating(BARC)

硼硅玻璃

下减反射涂层

boule

单晶锭

bracket n.v.

墙上凸出的托架括弧支架 括在 一起

，，

breakthrough step

突破步骤，起始的干法刻蚀步骤

brightfield detection brush scrubbing bubbler

亮场检查 涮洗

带鼓泡槽

buffered oxide etch(BOE)

氧化层腐蚀缓冲液

bulk chemical distribution

批量化学材料配送

bulk gases

bumped chip

大批气体

穿壁式设备布局

凸点式芯片

bulkhead equipment layout

buried layer burn-box burn-in C

埋层 燃烧室(或盒) 老化

CA cantilever n. ］cantilever paddle

化学放大(胶) 悬臂 悬

建

臂桨 掩蔽氧化层

cap oxide

capacitance capacitance-voltage test(C-Vtest) -

电容 电容

电压测试

capacitive coupled plasma

capacitor

电容器

电容偶合等离子体

carbon tetrafluoride(CF4) caro s acid3

四氟化碳 ' 号液

carrier carrier-depletion region carrier

载流子 载流子耗尽层

gas

携带气体

cassette cation caustic

(承)片架 阳离子 腐蚀性的

cavitation

超声波能

CD

关键尺寸

CD- SEM

线宽扫描电镜

Celsius adj.center of focus(COF) center

摄氏的 焦点 焦平面

slow

中心慢速

central processing unit(CPU)

中央处理器

ceramic substrate

CERDIP

陶瓷圭寸装

陶瓷双列直插封装

Channel channel length channeling

沟道 沟道长度 沟道效应

charge carrier

载流子

chasechelating agent ij

技术夹层 螯合齐

chemical amplification(CA)

化学放大胶

chemical etch mechanism chemical

化学刻蚀机理

mechanical planarization(CMP) chemical

化学机械平 坦化

solution chemical vapor deposition(CVD)

化学溶液 化学

气相淀积

chip

芯片

chip on board(COB)chip scale package(CSP)

板上芯片 芯片

尺寸圭寸装 电路几何尺寸

circuit geometries

class number

净化级另卩

cleanroom cleanroom protocol

净化间 净化间操作规程

Clearfield mask

亮场掩膜板

Cluster tool CMOS CMP

多腔集成设备 互补金属氧化物半导体

化学机械平坦化

Coater/developer track /

涂胶 显影轨道

Cobalt silicide

钻硅化合物

coefficient n. ［］

数 系数

Coefficient of thermal expansion（CTE）

热涨系数

Coherence probe microscope Coherent light

相干探测显微镜

相干光 盘绕卷

coil v.

，

Cold wall Collector Collimated light

冷壁 集电极 平行光

Collimated sputtering

准直溅射

Compensate v.Compound

偿还补偿付报酬

，，

semiconductor Concentration

化合物半导体 浓度

Condensation Conductor constantly adv

浓缩 导体 不变

・

地经常地坚持不懈地 共聚焦显微镜

，，

Confocal microscope

Conformal step coverage Contact

共型台阶覆盖 接触（孔）

Contact alignment Contact angle meter

接触式对准（光刻） 接

触角度仪 沾污、污染

Contamination

conti boat conticaster ［］

连柱舟 冶连铸机

Continuous spray develop Contour maps

连续喷雾显影 包络

图、等位图、等值图 对比度、反差 捐

Contrast contribution n.

献贡献投稿 常规 线光刻

，，

Conventional-line photoresist I

胶 库克理论 铜

Cook' s theoryCopper CVD CVD Copper

interconnect Cost of ownership(COO)

铜互连 业主总成本

Covalent bond Critical dimension

共价键 关键尺寸

Cryogenic aerosol cleaning

冷凝浮质清洗

Cryogenic pump(cryopump) Crystal

冷凝泵 晶体

Crystal activation Crystal defect Crystal

晶体激活 晶体缺陷

growth

晶体生长

Crystal lattice Crystal orientation

晶格 晶向

CTE

热涨系数

电流驱动电流放大

Current-driven current amplifier

器

CVD

化学气相淀积

Cycle time

周期

CZ crystal puller CZ

拉单晶设备

Czochralski(CZ) method

切克劳斯基法

D

damascene

大马士革工艺

darkfiled detection darkfiled mask

暗场检测 暗场掩膜版

DC bias

直流偏压

decompose v. ,()deep UV(DUV)

分解使腐烂 深紫外光

default n.)(),［］ v.

默认值缺省值食言不履行责任律缺席

(，，，

疏怠职责缺席拖欠默认

，，，

defects density defect deglaze

缺陷密度 缺陷 漂氧化层

degree of planarity(DP) dehydration bake

平整度 去湿

烘培，脱水烘培

density deplention mode degree of focus

密度 耗尽型 焦深

deposit n.vt

堆积物沉淀物存款押金保证金存 放物

，，，，，

・

存放堆积 沉淀

,vi.

deposition deposited oxide layer

淀积 淀积氧化层

depth of focus descum design for test(DFT)

焦深 扫底膜

可测试设计

desorption

解吸附作用

develop inspect

显影检查

development developer deviation n.device

显影 显影液 背离

isolation

器件隔离

device technology DI water

器件工艺 去离子水

Diameter n.diameter grinding diborane B2H6

直径 磨边 ( )

乙硼烷

dichlorosilane(H2SiCL2) die die array

二氯甲硅烷 芯片 芯片阵

列 粘片 逐个芯片对准

die attach die-by-die alignment

dielectric dielectric constant die matrix

介质 介电常数 芯片

阵列

die separation diffraction diffraction-limited

分片 衍射

optics

限制衍射镜片

diffusion diffusion controlled digital/analog

扩散 受控扩散

/

数字 模拟

digital circuit diluent direct chip attach( DCA) directionality

discrete dishing dislocation dissolution rate

dissolution rate monitor(DRM) DNQ-novolak

溶解率监测 重

氮柰醌一酚醛树脂 施主 掺杂刨面)

Donor dopant profile doped

region doping dose monitor

掺杂区 掺杂 剂量检测仪

推进 干法刻蚀

dry etch

dose,Q downstream reactor drain drive-in

剂量 顺流法反应 漏

dry mechanical pump

dry oxidation

干式机械泵

干法氧化

dummy n.adj.

哑巴傀儡假人假货 假的虚构

，，，，

虚拟的

，

的 计哑元 动力的动力学的

n.［］dynamic adj.

，，

动态的 规模经济 边

E economies of scale edge bead removal

缘去胶 边缘芯片

edge die

edge exclusion electrically erasable PROM

无效边缘区域 电

可擦除 电极 电迁徙

EPROM electrode electromigration

electron beam lithography

电子束光刻

electron cyclotron resonance electron

电子共振回旋加速器

showerelectron stopping

电子簇射，电子喷淋 电子阻止

electronic wafer map electroplating

硅片上电性能分布图 电镀

electropolishing

电解拋光

electrostatic chuck electrostatic discharge(ESD)

静电吸盘

静电放电 椭圆偏振仪，椭偏仪

ellipsometry

emitter endpoint detection engineering n.

发射极 终点检测

工程学能量弥散谱仪

() electrostatic discharge(EDX)

enhancement mode epi

增强型 夕卜延

epitaxial layer

夕卜延层

epoxy underfill erasable PROM

环氧树脂填充不足 可擦

除可编程只读存储器

erosion

腐蚀，浸蚀

establish vt v.

・

建立设立安置使定居使人民接受确定

，，，，，

建立

etch

刻蚀

etch bias

刻蚀涨缩量

etch profile

刻蚀刨面

etch rate

刻蚀速率

etch residue

刻蚀残渣

etch uniformity

刻蚀均匀性

etchant

刻蚀剂

etchback planarization eutectic attach

返刻平坦化 共晶焊接

eutectic temperature evaporation

共晶温度 蒸发

even adj.

平的平滑的偶数的一致的平静的恰好的，

，，，，，

平均的，连贯的 ［加强语气］甚至（也）, 连…都即

adv.

・・・

，

使恰好正当 使平坦使相等 变平相等 偶数偶

，，，，，

vt.vi. n.

校验

exceed vt. vi.

超越胜过 超过其他

，

excimer laser exposal n. ,exposure

准分之激光 曝光显露 曝光

exposure dose extraction electrode extreme UV

曝光量 吸极

极紫外线 掺杂硅 无制造厂公司

extrinsic silicon F Fables

fabrication facilities factor n.

制造 设施 因素要素因数

，，，

代理人 快速升降温炉 失效模式

fast ramp furnaces fault model

FCC diamond

面心立方金刚石

feature size

特征尺寸

FEOL Fick s lawsFICK field-effect transistor

前工序 ' 定律 场

效应晶体管 场氧化 逐场对

field oxide field-by-field alignment

准

field-programmable PROM

现场可编程只读存储器

film film stress

膜 膜应力

final assembly and packaging final test

最终装配和圭寸装 终

测

first interlayer dielectric(ILD-1)fixed oxide

第一层层间介质

charge flats flip chip float

固定氧化物电荷 定位边 倒装芯片

zone fluorosilicate glass(FSG) focal length

区熔法 氟化玻璃

焦距 焦平面 焦点 聚焦

focal plane focal point focusfocus ion

beam(FIB) footprint

聚焦离子束 占地面积

formula n.forward bias

公式规则客套语 正偏压

，，

four-point probe frenkel defect Frenkel

四探针 缺陷

front-opening unified pod(FOUP)

前开口盒

functional test furnace flat zone G g-line G

功能测试 恒温区

线 镓 砷化镓 间隙

gallium(Ga)gallium arsenide(GaAs)gap fill

填充 气体 气柜 气瓶集装

gas gas cabinet gas manifold gas

phase nucleation gas purge gas

气相成核 气体冲洗

throughput

气体产量

gate gate oxide gate oxide integrity

栅 栅氧化硅 栅氧完整性

germanium(Ge) getter glassglazing

错 俘获 玻璃 光滑表面

global alignment global planarization

全局对准 全局

平坦化

glow discharge gray area gross

起辉放电 灰区，技术夹层

defect grove n. grown oxide layer

层错 小树林 热氧化生长氧

化层

H

Halogen hardbake hardware n.

卤素 坚膜 五金器具电脑的

，()

硬件电子仪器的部件

，()

HEPA filter

高效过滤器

hermetic sealing

密圭寸

heteroepitaxy heterogeneous reaction

异质外延 异质反应

hexamethyldisilazane(HMDS)high-density

六甲基二硅氨烷

plasma(HDPCVD)

高密度等离子体化学

气相淀积

high-density plasma etch high-pressure

高密度等离子刻蚀

oxidation

高压氧化

high-temperature diffusion furnace

高温扩散炉

high vacuum high vacuum pumps hillock

高真空 高真空泵 小

丘(铝)尖刺 同质外延 同

homoepitaxy homogeneous reaction

质反应 地平线的水平的 臣

horizontal adj.horizontal furnace

，

卜式炉 热电子 热壁

hot electron hot wall hydrochloric

acid(HCL)hydrofluoric acid(HF)hydrogen(H2)

盐酸 氢氟酸 氢

气 氯化氢

hydrogen chloride(HCL)hydrogen peroxide(H2O2)

双氧水 亲水性 憎水性，疏水性

hydeophilic hydrophobic

hyperfiltration

超过滤

I

i-line I

线

IC packaging

集成电路封装

IC reliabilityIddq testing

集成电路可靠性 静态漏电流测试

image resolution

图象清晰度 图象分解力

implant v.impurity increment n.,

灌输（注入） 杂质 增力口增量

initial adj.n.in situ

最初的词首的初始的 词首大写 字母

，，

measurements index of refraction indium

在线测量 折射率 铟

inductively coupled plasma（ICP）inert gas

电感耦合等离子体

惰性气体 红外干涉 锭 墨

infrared interference ingot ink mark

水标识 在线参数测试

in-line parametric test

input/output（I/O）pin / institute n.

输入 输出管脚 学会学

，

院协会 创立开始制 定开始调查提起诉讼

，，，，（（）

vt.）, insulator

绝缘体

integrate vt.v.integrated

使成整体使一体化求…的积分结合

，，

circuit(IC)integrated measurement tool

集成电路 集成电路测

量仪 间隔距离幕间休息 时间间隔

interval n.n.

，，

interconnect interconnect delay

互连 互连连线延迟

interface-trapped charge interferometer

界面陷阱电荷 干涉仪

interlayer dielectric(ILD) interstitial

层间介质 间隙(原子)

intrinsic silicon invoke v.ion ion analyzer

本征硅 调用 离子

离子分析仪 离子铣

ion beam milling or ion beam etching(IBE)

或离 子束刻蚀 离子注入

ion implantation ion implantation

damage ion implantation doping

离子注入损伤 离子注入掺杂

ion implanterion projection lithography(IPL)

离子注入机 离子

投影机

ionization ionized metal plasma PVD

离子化 离子

PVD

化金属等离子 异丙醇气相干燥

IPA vapor dry

isolation regions

隔离区

isotropic etch profile

各向同性刻蚀刨面

J

JEFTjunction(pn) PN junction depth

结型场效应管 结 结深

junction spiking K

结尖刺

Kelvinkiller defectkinetically controlled

绝对温度 致命缺陷

reaction L laminar air flow

功能控制效应 层状空气流，层流式

lapping latchuplateral diffusion law

拋光 闩锁效应 横向扩散

of reflection

反射定律

LDD

轻掺杂漏

Leadframe

引线框架

leakage cuttent lenlens compaction

漏电流 透镜 透镜收缩

light light intensity light scattering lightly

光 光强 光散射

doped drain(LDD) linear linear accelerator

轻掺杂漏 线性 线

性加速器 线宽阶段，线性区 线宽 液

linear stage linewidth liquid

体 光刻 沾污的毛刷

lithography loaded brushloaded effect

负载效应 真空锁 局部互连

loadlocklocal interconnect(LI)local

planarization local oxidation of silicon(LOCOS)

局部平坦化

硅局部氧化隔离法 逻辑 批

logiclot

low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)

低压 化学

气相淀积

LSI

大规模集成电路

M

magnetic CZMCZ magnetically

( )磁性切克劳斯基晶体生长法

enhanced RIE(MERIE)

磁增强反应离子 刻蚀

magnetron sputtering Magnification n.

磁控溅射 扩大放大

，

倍率 华丽的高尚的宏伟的

magnificent adj. majority carrier

，，

多子 补偿循环

make-up loop

maskn.vt.,

掩膜版 面具掩饰石膏面像 戴面具

，，

掩饰使模糊 化装戴面具掩饰参加化装舞会

，，，，

vi.

mask-programmable gate array U

掩膜可编程门阵歹

mass flow controller(MFC)

质量流量计

mass spectrometer mass-transport limited reaction

质谱仪

质量传输限制效应 数学的精确的

mathematical adj.mean

，

free path(MFP) medium vacuum

平均自由程 中真空

adj.

megasonic cleaning meltmembrane

超声清洗 熔融

contactormembrane filter

薄膜接触器，隔膜接触器 薄膜过滤器，

隔膜过滤器 商人批发商贸易商店主 商业的

merchant n.

，，，，

商人的 汞灯

mercury arc lamp

MESFETmetal contact

用在砷化镓结型场效应晶体管中的金属栅

金属接触孔 金属杂质 复合金属，

metal impurities metal stack

金属堆叠

metallization metalorganic CVD

金属化 金属有机化学气相淀积

metrology microchipmicrodefect

度量衡学 微芯片 微缺陷

microlithography

微光刻

microloadingmicron

微负载，与刻蚀相关的深宽比 微米

microprocessor n.［］microprocessor unit

计微处理器 微处

理器

microroughness Miller indices

微粗糙度 密勒指数

minienvironment minimum geometry

微环境 最小尺寸

minority carrier mix and match mobile ionic

少子 混合与匹配

contaminants(MIC)mobile oxide charge

可动离子沾污 可动氧

化层电荷 模数模块登月舱指令舱 更

module n.,modify vt

，，

・

改修改 修改 分子束外延

，

v.molecular beam epitaxy (MBE)

molecular flow monitor wafer(test wafer)

分子流 陪片，测试

片，样片 单晶 单片器件

monocrystal monolithic device

Moore's law MOS

摩尔定律 金属氧化物半导体

MOSFET

金属氧化物半导体场效应管

motor curreant endpoint MSI

电机电流终点检测(法) 中规模集

成电路

Multiplier n.,

增加者繁殖者乘数增效器乘法器

，，，

multichip module(MCM)

多芯片模式

multilenel metallization

多重金属化

Murphy's model

墨菲模型

N nanometer(nm)native oxide n-channel

纳米 自然氧化层

MOSFET n MOSFET negatine resist

沟道 负性光刻胶

negative n.adj.

否定负数底片 否定的消极的负的阴

，，，，，

性的 否定拒绝接受负性

vt. negatine resist development

，()

光刻胶显影 中性束陷阱

neutral beam trap next-generation

lithography nitric acid(HNO3)

下一代光刻技术 硝酸

nitrogen(N2)nitrogen trifluoride(NF3)

氮气 三氟化氮

nitrous oxide (N2O) nMOS nMOS

一氧化二氮、笑气 沟道场效

应晶体管 非关键层 非挥

noncritical layer nonvolatile memory

发性存储器 归一化

normality

notch novolaknpn npn

定位槽 苯酚甲醛聚树脂材料 型(三极管)

n-type silicon n nuclear stopping nucleation

型硅 离子终止

成核现象，晶核形成 核合并

nuclei coalescence numerical

aperture(NA) L

n-well n

阱

O

数值孑 径

objective

(显微镜的)物镜

off-axis illumination(OAI)

偏轴式曝光，离轴式曝光

ohmic contact op amp optical

欧姆接触 运算放大器

interferometry endpoint

光学干涉法终点检测

optical lithography optical microscope(light

光学光刻

microscope) optical proximity correction(OPC)

光学显微镜

光学临近修正

optical pyrometer optics organic compound

光学高温计 光学

有机化合物

out-diffusion outgassing overdrive

反扩散 除气作用 过压力

overetch step overflow rinser overlay

过刻蚀 溢流清洗

accuracy overlay budget overlay

套准精度 套准偏差

registration oxidation oxidation-induced

套刻对准 氧化

stacking faults(OISF) oxide

缺陷，氧化诱生堆垛层错 氧化物、

氧化层、氧化膜 氧化齐氧化

oxidezer ij oxide-trapped charge

层陷阱电荷 臭氧

ozone(O3)

P

package pad conditioning pad oxide

封装管壳 垫修整 垫氧化

膜 悬臂 短桨划桨明轮翼 水

paddle n.

，，，

氧化诱生层积

涉水 用桨划搅拌

vt

・

，，

parabolic stage

拋物线阶段

parallel-plate(planar)reactor

平板反应

parallel testing parameter

并行测试 参数

parametric test parasitic

参数测试 寄生

parasitic capacitance parasitic

寄生电容

resistance parasitic transistor

寄生电阻 寄

生电阻器 分压

partial pressure particle

density particle per wafer per

颗粒密度

vi.

划桨戏

，

pass(PWP)

每步每片上的颗粒 数

passivation passivation layer

钝化 钝化层

passive components pattern sensitivity

无源元件 图形灵敏性

patterned etching pattern wafer

图形刻蚀 带图形硅片

patterning

图形转移，图形成型，刻印

pc board

印刷电路版

p-channel MOSFET p MOSFET

PECVD

沟道

PCM PEB

工艺控制监测 曝光后烘焙

等离子体增强化学气相淀积

PEL

允许曝露极限值

pellicle pentavalent perform vt

贴膜 五价元素

・

完成任务

履行执行表演演出 表演的履行的

,v. performing adj.

，，，

perimete array pH scale pH

周边阵列式(圭寸装) 值

phase-shift mask(PSM) phosphine(PH3)

相移掩膜技术 磷化氢

phosphoric acid(H3PO4)phosphorus(P)phosphorus

磷酸 磷

oxychloride(POCL3)phosphosilicate glass(PSG)

三氯氧磷 磷

硅玻璃 光酸产生剂

photoacid generator(PAG)photoacoustics

光声的 感光化合物

photoactive compound(PAC)photography

n.

摄影摄影术 光刻

，

photolithography photomask photoresist

光刻(技术) 光掩膜

光刻胶 去胶、光刻胶去除

photoresist stripping physical etch

mechanism physical vapor deposition(PVD)

物理刻蚀机理 物

理气相淀积 引出头 针栅阵列式(封

pigtailpin grid array(PGA)

装)

pinhole L piranha 3 pitch planar planar

针孑 号液 间距 平面

capacitor planar process planarization

平面电容 平面工艺 平

坦化 等离子体 解血浆乳浆物等离子体

plasman.［］［］

，，，

等 离子区 等离子体干法清洗

plasma-based dry cleaning

plasma electron flood plasma enhanced

等离子电子流

CVD(PECVD) CVD

等离子体增强

plasma etch

等离子体刻蚀

plasma-induced damage plasma potential

等离子体诱导损伤

distribution

等离子体势分布

plastic dual in-line package(DIP)

双列直插塑料圭寸装

plastic leaded chip carrier(PLCC)

塑料电极芯片载体

plastic packaging

塑料圭寸装

plugvt.n,

塞，填充堵塞插上插栓 塞子插头插销

，，，，

pMOS(p-channel) p MOS

沟道

pn junction diode pn pnp pnppoint

结型二极管 型三极管

defect Poisson's model polarization

点缺陷 泊松模型 极化，

偏振 极化光，偏振光 拋光 拋

polarized light polishpolish rate

光速率 倒角

polished wafer edge(edge grind) polishing loop

磨拋循环 拋光衬垫 多晶硅化物

polishing pad )polycide

(

polycrystal

多晶

polymer n. polymer formation

聚合体 聚合物方程式

polymerization polysilicon polysilicon gate

聚合作用 多晶硅

多晶硅栅 一部分一分 正性光刻

portion n. ,positive lithography

positive resist positive resist development

正性光刻胶 正性

光刻胶显影 显影后检查

post-develop inspection

post-exposure bake(PEB) ppb ppm

曝光后烘焙 十亿分之几 百

万分之几 万亿分之几 预非晶化

ppt preamorphization

precursor predeposition premetal

先驱物 预淀积

dielectric(PMD) preston equation Preston

金属前介质 方程

primary orientation flat

主定位边

print bias

光刻涨缩量

printed circuit boade(PCB) probeprobe card

印刷电路板 探针

探针卡 探针台 工艺 工艺腔，

proberprocess process chamber

工艺反应室 工艺化学

process chemical process control

monitor(PCM)process latitude

工艺控制监测(图形) 工艺水平，

工艺能力 工艺菜单

process recipe programmable array

logic(PLA)

可编程阵列逻辑

programmable logic device programmable

可编程逻辑器件

read-only memory projected range

可编程只读存储器 投影射

程 提示付款期限 提示鼓动促使

prompt n.vt,

，，，

・

(adj.adv.

给演员提白 敏捷的迅速的即时的

)，，

准时地 命令：改变系统提示符的风格

n. DOSDOSproportion n.

比例均衡面积部分 使成比 例使均衡分摊

，，，，，

vt.proportional

adj.

比例的成比例的相称的均衡 的

，，，

proportional band proximity

比例区比例带比例尺范围

，，

aligner p-type silicon P puddle develop

接近式光刻机 型硅 搅

拌式显影 抽气速率 穿通

pump speed punchthrough purge

（冲气）清洗

purge cycle

（冲气抽气）清洗循环

PVD

物理气相淀积

p-well P pyrogenic steam pyrogen pyrolytic

阱 热流 热原（质）

热解 自燃的

pyrophoric Q

quad flatpack（QFP）quadrupole mass analyzer

方型管壳封装

（QMA） quality measure quarz

四极质量分析仪 质量测量 石

英 石英管 石英舟

quarz tube quarz wafer boat

queue timeR radiation damage radical

排队时间 辐射损伤 激

发 随机存储器 射程

random access memory(RAM) range

rapid thremal anneal(RTA)

快速热退火

rapid thermal processor(RTP)RCA clean RCA

快速热处理 清

洗 反应速率限制

reaction rate limited reactive ion etch(RIE)

反应离子刻蚀 反应性 反应室，反应腔

reactivity reactor

read-only memory(ROM)recombination

只读存储器 复合

redistribution reflection spectroscopy

再分布 反射光谱仪

reflective notching reflowrefraction

反射开槽 回流 折身寸

refractory metal regeneration regeneration

难融金属 再生 套

准精度 移动免职

relative index of refraction,n removal n. ,

，

切除 重复反复 重做复述向他人转述复

repeat n.vt

，，，，

・

制使再现 重复留有味道 表示法表现

，，

vi.representation n. ,,

陈述请求扮演画像继承代表 重新安排

, reset v.

，，，，

residual gas analyzer(RGA)resist

残余气体分析器 光刻胶

resist development resistance

光刻胶显影 电阻

resistivity resolution reticleretrograde

电阻率 分辨率 掩膜版

well reverse bias reverse osmosis(RO)

倒掺杂阱 反偏 反向渗

透

RF

射频

RF sputtering

射频溅射

rinse vn.

嗽口用清水刷冲洗掉漂净 清洗 嗽洗漂洗

，()，，，，

漂清冲洗

，

RO

反向渗透

Roots blowerroughing pump

罗茨(机械增压)泵 低真空泵，机

械泵

RTARTP

快速热退火 快速热处理

S

satisfy vt.v.

满足使满意说服使相信 满意确保

，，，，

Scaling

按比例缩小

SCALPEL

具有角度限制分散投影电子束光刻

Scanner

扫描仪

scanning electron microscope(SEM)

扫描电子显微镜

scanning projection aligner schottky diode

扫描投影光刻机

肖特基二极管 掩蔽氧化层 戈

screen oxide layer scribe line H

片道 戈片线监测 底膜

scribe line monitor(SLM)Jscumming

secondary electron

二次电子

secondary electron flood

二次电子流

secondary ion mass spectrometry(SIMS)

二次离子质谱 (法)

seeds model SEE selective etching

' 模型 选择性刻蚀

selective oxidation selectivity

选择性氧化 选择性

semiconductor grade silicon semiconductor

半导体极硅 半

导体 灵敏度 浅沟槽隔

sensitivity shallow trench isolation(STI)

离 方块电阻 方块电阻率

sheet resistance,RS sheet resistivity,

shot sizeshrinking SI units Sidewall

胶(点)尺寸 缩小 公制

spacer Silane(siH4)Silicidesilicon

侧墙 硅烷 硅化合物 硅

silicon dioxide(SIO2)

二氧化硅

silicon nitride(SI3N4)silicon on sapphire

氮化硅 蓝宝石伤硅

silicon on insulator(SOI)silicon

绝缘体上硅

tetrachloride(SIC4) silicon tetrafluoride(SIF4)

碳化硅 四氟化

硅 四氯化硅

silicon tetrachloride(SICL4)single crystal silicon

单晶硅 硅烷化(作用)

silylation

SIMOX SOIsingle crystal

由注入氧隔离，一种 材料 单晶

slipslurry

滑移 磨料

SMIF

标准机械接口

Sodium hydroxide(NaOH)soft bake solid

氢氧化钠 前烘 固体

solvent ij

溶齐

SOS

蓝宝石上硅

Source source drain implants spacer n.

源 源漏注入 取间隔的

装置逆电流器

，

spatial coherence spatial signature analysis

空间相干 空间信

号分析 特种气体 种类

specialty gase species specific gravity

比重 比热 斑点

specific heat speckle spectroscipic

ellipsometry spin coatingspin dryer

椭圆偏振仪 光刻胶旋涂

旋转式甩干桶 （ ）旋转介质法

spin-on-dielectricSOD

spin-on-glassSOGspray cleaning

（ ）旋转玻璃法 喷雾清洗

spray rinserspreading resistance probe

喷雾清洗槽 扩散电阻

探测 喷溅声劈啪声急语咕哝 唾沫飞 溅

sputter nvi.

・

，，，，

发劈啪声急忙地讲 喷出飞溅出气急败坏

，，，

vt.

地说 溅射 溅射刻蚀

sputtering sputter etchsputtered

aluminum

溅射铝

sputtering yield

溅射产额

SSI

小规模集成电路

stacking faultstandard clean 1(SC-1) 1

层积缺陷，堆垛层错 号

清洗液 号清洗液

standard clean 2(SC-2) 2 standard

mechanical interface(SMIF)standing wave

机械标准接口 驻波

static RAMstatistical process control ( SPC

静态存储器 )统计

过程控制 台阶覆盖 台阶高度

step coveragestep height

step-and-repeat aligner step-and-scan

分步重复光刻机

systemstepper

步进扫描光刻机 步进光刻机

stepping motor driverstepper

步进电机驱动器电路 步进光刻机

stoichiometrystagglestress

化学计量(配比) 投射标准偏差 应

力 条纹 剥剥去 条带

striation strip vtn.

・

，，

stripping structure subatmospheric CVD

去胶 结构 亚大气压

化学气相淀积 亚微米

submicron

sub-quarter micron 025substrate sublimation

亚微米 衬底

・

升华 替位原子 减去减

substitutional atom subtract v (from),

〜

subwaverlength lithography sulfur

亚波长光刻

hexafluoride(SF6)sulfuric acid H2SO4

六氟化硫 ()硫酸

surface profiler surface tension susceptor

表面形貌 表面张力

基座

T

target chamber target temperature ramp rate

靶室 靶 温度斜

率 温度

temperature

TEOS

正硅酸乙脂

test algorithm test coverage test structure

测试算法 测试覆盖

测试结构 测试向量 热预算

test vectorthermal budget thermal

oxide thermocompression bonding

热氧化 热压键合

thermocouple thermogravimetric analysis (TGA)

热电偶 热

重量分析 热超声键合 薄膜

thermosonic bonding thin film

thin small outline package(TSOP)-V

薄小型圭寸装 川

compound /thorough adj.

三五族化合物 十分的彻底的

，

Threshold threshold voitage threshold

域值 域值电压

voltage adjustment implant

调栅注入，域值调 整注入

throughput

产量

tilt [tilt] v.()()time of flight

使倾斜使翘起以言词或文字抨击

，，

SIMS(TOF -SIMS)

飞行时间二次离子质谱

titanium silicide

钛硅化合物

TLV

极限域值

top surface imaging topography torr

上表面图形 形貌 托

toxictrack system(also track) transient

有毒 轨道系统

enhanced diffusion(TED)transistor

瞬时增强扩散 晶体管

trench trench capacitor trichlorosilane(TCS or

槽 槽电容

SiHCL3)triode planar reactor

三氯氢硅 三真空管平面反应室

triple well trivalent tungsten(W)tungsten stch

三阱 三价 钨

back tungsten hexafluoride(WF6)tungsten

钨反刻 六氟化钨

plugturbomolecular pump(turbo pump)

钨塞，钨填充 涡轮分

子泵 双平面

twin planes(twinning)

twin-well(twin-tub)

双阱

U

ULSI

甚大规模集成电路

ultralow penetration air(ULPA)ultrafiltration

超低穿透空气 超

过滤 超细颗粒 超高纯度

ultrafine particle ultrahigh purity

ultrahigh vacuum ultrashallow junction

超高真空 超浅结

ultrashallow junction ultraviolet

超声键合(压焊) 紫外线

undercut uniformity unit cell

钻蚀 均匀性 元包，晶胞

unpatterned etching(spripping)

无图形刻蚀(剥离)

unpatterned wafer unplug v.),

无图形硅片 拔去塞子插头等

(，

去掉…的障碍物 紫外线

UV

V

Vacancy vacuum vacuum wand

空位 真空 真空吸片棒，真空

镊子

van der pauw method vapor phase epotaxy(VPE)

范德堡法

气相外延 气压

vapor pressure

vapor prime

气相熏增粘剂，气相成底膜

vaporization

气化

variable n.［］adj.

数变数可变物变量 可变的不定的

，，，，

易变的数变量的

，

［］

variable angle spectriscipic ellipsometry(VASE)

可变角 度椭

偏仪

variation n.［］various

变更变化变异变种音变奏变调

，，，，，

adj.vertical furnace

不同的各种各样的多方面的多样的 立

，，，

式炉

viaL

通孑

viscous flow

粘滞流

VLSI

超大规模集成电路

volatile memory

挥发性存储器

volatile

挥发

voltage regulator

温压器

W

wafer cassette wafer charging

硅片架 硅片充电